ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
BSO300N03SXT
产åå3/4çä» ä3/4åè
æ ¬ ¢è ¿ç '¢å产åè ̄¦ç»èμæ

BSO300N03SXT

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4Næ²éåçåºæåºç®¡
  • ååï1/4إنفينيون
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å ° è £ ï1/4الإجراء التشغيلي الموحد 8
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/415600
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找BSO300N03SXTçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

BSO300N03SXTNæ²éåçåºæåºç®¡

ä ̧BSO300N03SXTç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
BSO350N03XT إنفينيون11+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-Channel 20V 250V mosfet (â ¦) ؛ å è£ :P G-DSO-8; å è £ :SO-8; VDSå ¬å ̧(æé«):30.0 فولت; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈)(æé«)(@10V):è3/43/4å°mOhmå ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); (æé«) (@ 4.5 فولت): 52.0 مللي أوم ؛ ID(æé«):5.0 A
BSO350N03 إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03 إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO150N03XT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 15.0 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 19.0 مللي أوم

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
F3069F25V رينساس23+QFP100IC MCU 16 بت 512 كيلو بايت فلاش 100QFP
S3T-R-F5 داتالوجيك22+تراجعأجهزة الاستشعار الكهروضوئية
M393A8G40BB4-CWE سامسونج21+BGAسامسونج 64 جيجابايت 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759 (J ، F) توشيبا21+تراجعترانزستور Optocoupler DC-IN 1-CH مع قاعدة DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK مورس سميت24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 سوريو صن بانك2023+è ¿æ ¥å ̈اتصالات معممة قياسية تجعيد المقبس الاتصال 16-20 AWG
CM300DY-24J ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي إلكتريك 1200 فولت 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
CM300DY-24 سنة ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي إلكتريك 1200 فولت 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
PT02E10-6 ثانية أمفينول للعمليات الصناعية24+è ¿æ ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS كأس لحام
KP02A14-15 ثانية شركة أمفينول24+è ¿æ ¥å ̈موصل دائري ، وعاء ، مقاس 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ،
U-MULTILINK-FX إن إكس بي24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è ¿æ ¥å ̈كون دائري PIN 4 POS لحام ST صندوق جبل 4 محطة 1 منفذ
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة المصنوعة من الألومنيوم 75W-500W قدرة تبديد ، بأكسيد الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
هاتف: 27914-30T12 آي تي تي2023+è ¿æ ¥å ̈أبعاد الاتصال - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعRES 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير قابلة للإغلاق ، 6 PDT ، 1 أمبير ، 72 فولت تيار مستمر
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1 كيلو أوم 1٪ 1206

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å ° è £è ̄'æ
BSO300N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03 إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO150N03XT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 15.0 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 19.0 مللي أوم
BSO150N03 إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 15.0 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 19.0 مللي أوم
BSO119N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 11.9 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 16.3 مللي أوم
BSO119N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 11.9 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 16.3 مللي أوم
BSO104N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 9.7 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 13.6 مللي أوم ؛
BSO104N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 9.7 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 13.6 مللي أوم ؛
BSO094N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 9.1 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@ 4.5 فولت): 12.9 مللي أوم ؛
BSO094N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 9.1 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@ 4.5 فولت): 12.9 مللي أوم ؛
BSO072N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 6.8 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 9.3 مللي أوم.
BSO072N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 6.8 ملي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 9.3 مللي أوم.
BSO064N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 6.4 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 8.8 مللي أوم;
BSO064N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 6.4 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 8.8 مللي أوم;
BSO052N03SXT إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 5.2 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 6.7 مللي أوم؛
BSO052N03S إنفينيون10+الإجراء التشغيلي الموحد 8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-DSO-8 ؛ العبوة: SO-8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 5.2 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@ 4.5 فولت): 6.7 مللي أوم؛
BSC265N10LSF إنفينيون10+TDSON-8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-TDSON-8 ؛ العبوة: SuperSO8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 100.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 26.5 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@4.5 فولت): 36
BSC205N10LS إنفينيون10+TDSON-8N-قناة MOSFETs (20 فولت × 250 فولت) ؛ العبوة: PG-TDSON-8 ؛ العبوة: SuperSO8 ؛ VDS (الحد الأقصى): 100.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (كحد أقصى) (@10V): 20.5 مللي أوم؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@4.5 فولت): 28

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com 2010-2011© MCCT粤ICPå¤14056028å·