| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BYM36BGP
| إن إكس بي | 2011 | سود-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYM36CGP
| إن إكس بي | 2011 | سود-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYM36DGP
| إن إكس بي | 2011 | سود-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYM36EGP
| إن إكس بي | 2011 | سود-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYM26D
| إن إكس بي | 07+ | سود-64 | الصمام الثنائي مقوم الاسترداد فائق السرعة المختوم بإحكام (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管) |
|
BYM26E
| إن إكس بي | 07+ | سود-64 | الصمام الثنائي مقوم الاسترداد فائق السرعة المختوم بإحكام (ååçμå200V,è1/2'åå1/4èï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管) |
|
BYM26C
| إن إكس بي | 10+ | سود-64 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4600Vçï1/4ï1/4 INNOLINE: RP50-S - مخرجات فردية تصل إلى 15 أمبير- الإدخال / الإخراج عزل 1.6 كيلو فولت تيار مستمر- جهد خرج قابل للتعديل - لا يوجد حد أدنى |
|
BYV28-50
| إن إكس بي | 07+ | سود-64 | è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
PSMN004-55 واط
| إن إكس بي | 10+ | إلى -247 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS N- مستوى المنطق TrenchMOS (tm) الترانزستور - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 100 أ ؛ Qgd (النوع): 106 nC ؛ RDS (تشغيل): 4.2@ |
|
PSMN005-75 ب
| إن إكس بي | 10+ | إلى-263-3 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS موصل دائري; مادة الجسم:سبائك الألومنيوم. سلسلة:MS3111; عدد جهات الاتصال:10; حجم قذيفة الموصل: 12 ؛ ربط تيرمي |
|
PSMN009-100 واط
| إن إكس بي | 10+ | إلى -247 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS موصل دائري; مادة الجسم:سبائك الألومنيوم. سلسلة:MS3111; عدد جهات الاتصال:10; حجم قذيفة الموصل: 12 ؛ ربط تيرمي |
|
PSMN035-150 بكسل
| إن إكس بي | 10+ | إلى -220 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMO N- وضع تعزيز القناة الترانزستور الميداني - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 50 أ ؛ Qgd (النوع): 33 nC ؛ RDS (تشغيل): 35@10V |
|
PSMN057-200 ب
| إن إكس بي | 10+ | إلى -263 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N-قناة TrenchMOS (tm) الترانزستور - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 39 أ ؛ Qgd (النوع): 37 nC ؛ RDS (على): 57@10V مللي أوم ؛ VDSmax: 200 فولت |
|
PSMN057-200 بكسل
| إن إكس بي | 10+ | SOT78 / إلى 220 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N-قناة TrenchMOS (tm) الترانزستور - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 39 أ ؛ Qgd (النوع): 37 nC ؛ RDS (على): 57@10V مللي أوم ؛ VDSmax: 200 فولت |
|
PSMN063-150D
| إن إكس بي | 10+ | SOT-252 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管موصل دائري; ميل المواصفات: MIL-C-26482 ، السلسلة الأولى ، لحام ؛ مادة الجسم: الألومنيوم. سلسلة:PT06; عدد جهات الاتصال:4; موصل شل سيز |
|
PSMN070-200 ب
| إن إكس بي | 10+ | إلى -263 | Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS موصل دائري; مادة الجسم: الألومنيوم. السلسلة:PT07; عدد جهات الاتصال:41; حجم قذيفة الموصل: 20 ؛ ربط الإنهاء: Cri |
|
PSMN070-200 بكسل
| إن إكس بي | 10+ | إلى -220 | المستوى القياسي TrenchMOS للقناة N FET - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 21.5 أ ؛ Qgd (النوع): 10.1 nC ؛ RDS (على): 102@10V أوم ؛ VDSmax: 200 فولت |
|
PSMN102-200 سنة
| إن إكس بي | 10+ | SOT-669 | المستوى القياسي TrenchMOS للقناة N FET - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 21.5 أ ؛ Qgd (النوع): 10.1 nC ؛ RDS (على): 102@10V أوم ؛ VDSmax: 200 فولت |
|
PSMN130-200 د
| إن إكس بي | 10+ | SOT-252 | ترانزستور TrenchMOS ذو القناة N(Næ²é TrenchMOSæ¶ä1/2管) |
|
PSMN1R7-30 يل
| إن إكس بي | 10+ | SOT-669 | N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-channel Trenchmos (tm) مستوى المنطق المحسن FET - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 67 أ ؛ RDS (تشغيل): 8.2@[email protected] ميغا أوم. في دي إس ماكس: 3 |