产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
IPD50R399CP
- æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
- 产åå称ï1/4Næ²éåºæåºç®¡ 9A 550V CoolMOS TO252
- ååï1/4إنفينيون
- ç产æ¹å·ï1/414+
- å°è£ ï1/4إلى -252
- åºåç¶æï1/4Æåºå
- åºåéï1/43330
- æä1/2订è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
IPD50R399CP Næ²é
źæåºç®¡ 9 أمبير 550 فولت كولموس TO252
ä ̧IPD50R399CPç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
VLS252012T-2R2M1R3
| ت.د.ك | 14+ | 1008 | 2.2uH 20٪ 1 ميجا هرتز 1.3 أمبير 155 مللي أوم çμæå ̈ |
|
IPD50R520CP
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ موسفيت N-CH 7.1A 550V CoolMOS TO252 |
|
IPD50R950CE
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ موسفيت N-CH 4.3A 550V CoolMOS TO252 |
|
IPD50R3K0CEBTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ MOSFET N-CH 1.7A 550V CoolMOS TO252 |
|
IPD50P04P4-13
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ MOSFET P-CH 50A 40V OptiMOS-P2 TO252 |
|
IPD60R3K3C6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | عبر موسفيت N-CH 650V 1.7A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) إلى 252 |
|
IPD60R2K0C6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | موسفيت N-CH 600V 2.4A TO252-3 |
|
IPD60R450E6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | عبر موسفيت N-CH 600V 9.2A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) إلى 252 |
|
IPD60R950C6BTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | عبر موسفيت N-CH 600V 4.4A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) إلى 252 |
|
IPD60R385CPBTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ عبر MOSFET N-CH 600V 9A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) TO-252 |
çé ̈æç'¢
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
KPT02E8-4 ص
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء |
|
HSC1008R2J
| تي | 24+ | تراجع | عائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة. |
|
27914-30T12
| آي تي تي | 2023+ | è¿æ¥å ̈ | أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد |
|
AF8 / WA27F
| شركة دانيلز للتصنيع (DMC) | 24+ | å·¥å · | DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å |
|
CMF8342T
| سي إم إف | 23+ | æ ̈¡å | Tç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å |
|
RWR78N39R2FR
| فيشاي | 24+ | تراجع | الدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري |
|
ETP41L18BXUU
| إس تي بي آي | 22+ | Ç»§μå ̈ | مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC |
|
MPS100ASC
| ä ̧è± | 2024+ | å·¥å · | ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈ |
|
TFPT1206L1001FV
| فيشاي ديل | 24+ | 1206 | مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206 |
|
CKRA2410
| شركة كريدوم | 23+ | Ç»§μå ̈ | مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ، |
|
KDN-B-110V
| مورس سميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC |
|
4403-000LF
| سي تي اس | 2024+ | تراجع | å3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈ |
|
MPY20W1470FB00MSSD
| ويما | 2023+ | ديب2 | MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10 |
|
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0
| موصلات AB | 24+ | è¿æ¥å ̈ | كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب |
|
M3-A230
| مورسميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | المكونات في ترحيل للأغراض العامة |
|
SSDN-414-005
| تي اند ام | 2024+ | ç'æ | æ æåè1/2'åæμå ̈ |
|
6ES7214-1BG31-0XB0
| 西é ̈å | 23+ | بي ال سي | 6ES7214-1BG31-0XB0 |
|
81-206-01
| إلما للإلكترونيات | 24+ | è¿æ¥å ̈ | 81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295. |
|
إمب-SM-3C-R10-D35
| أمفينول | 24+ | è¿æ¥å ̈ | é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈ |
|
51513-12-12T12
| حلول الربط البيني من آي تي تي | 23+ | è¿æ¥å ̈ | VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22 |
Infineonåç产åæ ̈è
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IPD60R3K3C6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | عبر موسفيت N-CH 650V 1.7A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) إلى 252 |
|
IPD60R2K0C6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | موسفيت N-CH 600V 2.4A TO252-3 |
|
IPD60R450E6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | عبر موسفيت N-CH 600V 9.2A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) إلى 252 |
|
IPD60R950C6BTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | عبر موسفيت N-CH 600V 4.4A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) إلى 252 |
|
IPD60R385CPBTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ عبر MOSFET N-CH 600V 9A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) TO-252 |
|
IPD60R600C6BTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | IPD60R600C6BTMA1 Næ²éåºæåºç®¡ عبر MOSFET N-CH 650V 7.2A 3 دبوس (2 + علامة تبويب) TO-252 |
|
IPD60R1K4C6BTMA1
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | Næ²éåºæåºç®¡ عبر MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
|
IPD60R380C6
| إنفينيون | 14+ | إلى -252 | :N-FETç¡ Næ²éMOS管 å ̈æ°åè£ è¿å£ç°è'§ |
|
IPD60R520C6
| إنفينيون | 13+ | إلى -252 | :N-FETç¡ Næ²éMOS管 ç°è'§ä3/4åº |
|
IPD50R280CE
| إنفينيون | 13+ | إلى -252 | Å ̄æ§ç¡ (æ¶é ̧管) |
|
IKCM30F60GA
| إنفينيون | 14+ | æ ̈¡å | وحدات IGBT مزدوجة في خط إنتل. وحدة Pwr ، 600 فولت 30 أمبير |
|
FF600R06ME3
| إنفينيون | 14+ | æ ̈¡å | å ̄æ§ç¡ æ¶é ̧管 æ ̈¡å å ̈æ°åè£ ç°è'§ |
|
SPD04N50C3
| إنفينيون | 13+ | إلى -252 | å ̈æ°åè£ è¿å£MOS管ç°è'§ä3/4åº |
|
SPD07N20G
| إنفينيون | 13+ | إلى -252 | å ̈æ°åè£ è¿å£MOS管 |
|
BAR74E-6327
| إنفينيون | 13+ | سوت -23 | é«é¢åºæåºç ̈³åä ̧æ管 |
|
IKW75N60H3
| إنفينيون | 13+ | إلى -247 | å ̈æ °åè £ è ¿å £ IGBT 600V 80A 428W TO247-3 |
|
IPB042N10N3G
| إنفينيون | 13+ | إلى -263 | å ̈æ°åè£ è¿å£ä1/2åMOS |
|
ICE2HS01G
| إنفينيون | 13+ | DSS0-20 | é«æ§è1/2çè°æ ̄åæ¡¥(LLC)æ§å¶å ̈ |
|
IPW60R190C6
| إنفينيون | 13+ | إلى -247 | 600Våºæåºç®¡ |
|
BSS79C
| إنفينيون | 13+ | سوت 23 | źæåºäºæ管 |