产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
SPD35N10
- æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
- 产åå称ï1/4Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor
- ååï1/4إنفينيون
- ç产æ¹å·ï1/410+
- å°è£ ï1/4إلى -252
- åºåç¶æï1/4Æåºå
- åºåéï1/412000
- æä1/2订è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
SPD35N10 Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS السلطة الترانزستور
ä ̧SPD35N10ç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
SPI35N10
| إنفينيون | 10+ | إلى262-3 | Néé åçåºæåºç®¡ LED متعدد الألوان ؛ لون الصمام: أصفر / أخضر. شدة مضيئة: 16mcd؛ زاوية الرؤية:120 ; إلى الأمام الحالي: 30mA؛ إلى الأمام الجهد: 2.1V؛ Operati |
|
SBT601
| سبتمبر/تي إس سي | 11+بنفايات | ديب-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
SPI21N10
| إنفينيون | 10+ | إلى262-3 | Néé åçåºæåºç®¡ CAP 1000PF 100V 1٪ NP0 (C0G) DIP-2 أنبوب باك R-MIL-PRF-39014/22 |
|
SPI10N10
| إنفينيون | 10+ | إلى262-3 | Néé åçåºæåºç®¡ CAP 1000PF 100V 1٪ NP0 (C0G) DIP-2 أنبوب باك R-MIL-PRF-39014/22 |
|
SB810G
| تي إس سي | 10+ | مجمع دبي للاستثمار | æ'æμäºæ管 |
|
SB810
| بي إي سي | 10+ | إلى -220 | æ'æμäºæ管 |
|
SB808G
| تي إس سي | 10+ | تراجع | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
SB808
| لتسب | 09+ | ديب-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
SB807G
| سبتمبر/تي إس سي | 11+بنفايات | ديب-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
SB807
| لتسب | 09+ | تراجع | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
çé ̈æç'¢
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
KP02A14-15 ثانية
| شركة أمفينول | 24+ | è¿æ¥å ̈ | موصل دائري ، وعاء ، حجم 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ، |
|
يو ملتي لينك إف إكس
| إن إكس بي | 24+ | å·¥å · | NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈ |
|
KPT02E8-4 ص
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء |
|
HSC1008R2J
| تي | 24+ | تراجع | عائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة. |
|
27914-30T12
| آي تي تي | 2023+ | è¿æ¥å ̈ | أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد |
|
AF8 / WA27F
| شركة دانيلز للتصنيع (DMC) | 24+ | å·¥å · | DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å |
|
CMF8342T
| سي إم إف | 23+ | æ ̈¡å | Tç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å |
|
RWR78N39R2FR
| فيشاي | 24+ | تراجع | الدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري |
|
ETP41L18BXUU
| إس تي بي آي | 22+ | Ç»§μå ̈ | مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC |
|
MPS100ASC
| ä ̧è± | 2024+ | å·¥å · | ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈ |
|
TFPT1206L1001FV
| فيشاي ديل | 24+ | 1206 | مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206 |
|
CKRA2410
| شركة كريدوم | 23+ | Ç»§μå ̈ | مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ، |
|
KDN-B-110V
| مورس سميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC |
|
4403-000LF
| سي تي اس | 2024+ | تراجع | å3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈ |
|
MPY20W1470FB00MSSD
| ويما | 2023+ | ديب2 | MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10 |
|
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0
| موصلات AB | 24+ | è¿æ¥å ̈ | كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب |
|
M3-A230
| مورسميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | المكونات في ترحيل للأغراض العامة |
|
SSDN-414-005
| تي اند ام | 2024+ | ç'æ | æ æåè1/2'åæμå ̈ |
|
6ES7214-1BG31-0XB0
| 西é ̈å | 23+ | بي ال سي | 6ES7214-1BG31-0XB0 |
|
81-206-01
| إلما للإلكترونيات | 24+ | è¿æ¥å ̈ | 81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295. |
INFINEONåç产åæ ̈è
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
SPD11N10
| إنفينيون | 10+ | إلى -252 | Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor |
|
SPD100N03S2L-04
| إنفينيون | 10+ | إلى -252 | Néé åçåºæåºç®¡ أشباه موصلات الطاقة ، قناة N-Channel MOSFETs (20 فولت ... 300 فولت) |
|
SPB80N10L
| إنفينيون | 10+ | D2PAKï1/4TO-263) | åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor |
|
SPB80N06S2L11
| إنفينيون | 10+ | ف-TO263 | OptiMOS Power-Transistor( MOS ååçæ¶ä1/2管) |
|
SPB35N10
| إنفينيون | 10+ | ف-TO263-3 | 25mA 2.2V åçåºæåºç®¡ |
|
SPB21N10
| إنفينيون | 10+ | ف-TO263-3 | Åçåºæåºç®¡ |
|
SPB10N10
| إنفينيون | 10+ | إلى -263 | كاب 1000PF 100 فولت 10٪ NP0 (C0G) DIP-2 أنبوب-باك R-ميل-PRF-39014/22 |
|
IPUH6N03LB
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V 50.0 A Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 ترانزستور الطاقة |
|
IPUH6N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V 50.0 A Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 ترانزستور الطاقة |
|
IPU78CN10N
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU13N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 فولت ؛ 30.0 A Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU10N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 30.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU09N03LB
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 30.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU09N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU06N03LB
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU06N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU05N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU04N03LB
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU04N03LA
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |
|
IPU039N03L
| إنفينيون | 10+ | إلى -251 | 30.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSã¢2 Power-Transistor |