产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
بات54,215
- æå±ç±»å«ï1/4åç«å 件مكون منفصل
- 产åå称ï1/4Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)
- ååï1/4إن إكس بي
- ç产æ¹å·ï1/410+
- å°è£ ï1/4SOT23-3
- åºåç¶æï1/4Æåºå
- åºåéï1/4654000
- æä1/2订è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
Schottky Barrier Diode(èç¹åºå¿åäºæ管)
ä ̧بات54,215ç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BZX79-C5V1,133
| إن إكس بي | 10+ | سود 27 | الثنائيات منظم الجهد |
|
باس17,215
| درجة الحموضة 3 | 10+ | سوت 23 | الصمام الثنائي لتثبيت الجهد المنخفض (ä1/2åç ̈³åäºæ管) |
|
باس35,215
| إن إكس بي | 10+ | سوت 23 | NPN ترانزستور السيليكون للأغراض العامة (NPNéç ̈æ¶ä1/2管 |
|
BCX70K,215
| إن إكس بي | 10+ | | ترانزستور السيليكون للأغراض العامة NPN (NPNéç ̈æ¶ä1/2管) |
|
هف62ج، 215
| درجة الحموضة 3 | 10+ | | الترانزستورات لتطبيقات المرآة الحالية ؛ الحزمة: PG-SOT143-4 ؛ قطبية: PNP. VCEO (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ Ptot (الحد الأقصى): 300.0 ميجاوات ؛ hFE (الحد الأدنى): 420.0 - 800.0; |
|
1N4937-E3 / 54
| فيشاي | 10+ | | مقوم البلاستيك سريع التبديل (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈) |
|
ZXTP5401FLTA
| زيتكس | 10+ | SOT23-3 | 150 فولت ، SOT23 ، PNP ترانزستور عالي الجهد |
|
1N4148,113
| إن إكس بي | 10+ | د.35 | الثنائيات المستوية الفوقية السيليكون |
|
FCM8201QY
| FS8 | 10+ | 32-LQFP | 576 ميجابت RDRAM (A-يموت) 1 ميجا × 18 بت × 32 ثانية البنوك RDRAMTM المباشر |
|
RQA0004PXDQS
| هيتاشي | 10+ | سوت -89 | åè£ ç°è'§ |
çé ̈æç'¢
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
KP02A14-15 ثانية
| شركة أمفينول | 24+ | è¿æ¥å ̈ | موصل دائري ، وعاء ، حجم 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ، |
|
يو ملتي لينك إف إكس
| إن إكس بي | 24+ | å·¥å · | NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈ |
|
KPT02E8-4 ص
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء |
|
HSC1008R2J
| تي | 24+ | تراجع | عائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة. |
|
27914-30T12
| آي تي تي | 2023+ | è¿æ¥å ̈ | أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد |
|
AF8 / WA27F
| شركة دانيلز للتصنيع (DMC) | 24+ | å·¥å · | DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å |
|
CMF8342T
| سي إم إف | 23+ | æ ̈¡å | Tç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å |
|
RWR78N39R2FR
| فيشاي | 24+ | تراجع | الدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري |
|
ETP41L18BXUU
| إس تي بي آي | 22+ | Ç»§μå ̈ | مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC |
|
MPS100ASC
| ä ̧è± | 2024+ | å·¥å · | ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈ |
|
TFPT1206L1001FV
| فيشاي ديل | 24+ | 1206 | مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206 |
|
CKRA2410
| شركة كريدوم | 23+ | Ç»§μå ̈ | مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ، |
|
KDN-B-110V
| مورس سميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC |
|
4403-000LF
| سي تي اس | 2024+ | تراجع | å3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈ |
|
MPY20W1470FB00MSSD
| ويما | 2023+ | ديب2 | MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10 |
|
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0
| موصلات AB | 24+ | è¿æ¥å ̈ | كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب |
|
M3-A230
| مورسميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | المكونات في ترحيل للأغراض العامة |
|
SSDN-414-005
| تي اند ام | 2024+ | ç'æ | æ æåè1/2'åæμå ̈ |
|
6ES7214-1BG31-0XB0
| 西é ̈å | 23+ | بي ال سي | 6ES7214-1BG31-0XB0 |
|
81-206-01
| إلما للإلكترونيات | 24+ | è¿æ¥å ̈ | 81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295. |
NXPåç产åæ ̈è
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
1N4148,113
| إن إكس بي | 10+ | د.35 | الثنائيات المستوية الفوقية السيليكون |
|
باف23,215
| إن إكس بي | 10+ | شريط | الصمام الثنائي المزدوج للأغراض العامة(åéç ̈äºæ管) |
|
BC847BS,115
| إن إكس بي | 10+ | سوت -23 | NPN ترانزستور مزدوج للأغراض العامة (NPNéç ̈ååæ¶ä1/2管) |
|
BZV55-C8V2,115
| إن إكس بي | 10+ | بي بي فري | الثنائيات منظم الجهد |
|
PMBD7000,215
| إن إكس بي | 10+ | بي بي فري | الصمام الثنائي المزدوج عالي السرعة (åé«éäºæ管 |
|
PMBT2222A,215
| إن إكس بي | 10+ | 11+ | ترانزستورات تبديل NPN |
|
باس70,215
| إن إكس بي | 10+ | شريط | حاجز شوتكي (مزدوج) الثنائيات (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管) |
|
باس21,215
| إن إكس بي | 10+ | سوت -23 | الثنائيات للأغراض العامة (éç ̈ä ºæç® ¡) |
|
ه847ب، 215
| إن إكس بي | 10+ | سوت -223 | NPN ترانزستور للأغراض العامة |
|
باس316,115
| إن إكس بي | 10+ | شريط | الثنائيات عالية السرعة ( é«éäºæ管) |
|
ه857ب، 215
| إن إكس بي | 10+ | شريط | PNP ترانزستور للأغراض العامة (PNPéç ̈æ ¶ä 1 / 2ç® ¡) |
|
ه817-40,215
| إن إكس بي | 10+ | سوت 23 | NPN مضخم للأغراض العامة (NPNéç ̈æ3/4大å ̈) |
|
PH4830L,115
| إن إكس بي | 10+ | ستاندرد باك | المستوى المنطقي TrenchMOS للقناة N FET - التكوين: قناة N واحدة ؛ معرف العاصمة: 84 أ ؛ Qgd (النوع): 5.4 nC ؛ RDS (على): [email protected] V 4.8@10 فولت أوم ؛ VDSmax: 30 فولت |
|
869,115 ق م
| إن إكس بي | 10+ | SOT89 | PNP ترانزستور متوسط الطاقة (PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管) |
|
باف99س، 115
| إن إكس بي | 10+ | شريط | صمامات ثنائية عالية السرعة للتبديل ؛ الحزمة: PG-SOT363-6 ؛ إعدادات: رباعي. VR (الحد الأقصى): 80.0 فولت; IF (الحد الأقصى): 200.0 مللي أمبير ؛ الأشعة تحت الحمراء (الحد الأقصى): 150.0 nA ؛ TRR (الحد الأقصى): 4.0 |
|
باس16,215
| إن إكس بي | 10+ | SOT23-3 | الثنائيات عالية السرعة ( é«éäºæ管) |
|
PMEG4020EP,115
| إن إكس بي | 10+ | بي بي فري | 2 مقوم حاجز Vf MEGA Schottky منخفض ، SOD128 (FlatPower) ، حزمة بكرة ، SMD |
|
ه847ج، 215
| إن إكس بي | 10+ | شريط | NPN ترانزستور للأغراض العامة |
|
SA58631
| إن إكس بي | 10+ | HVQFN8 | مضخم صوت BTL من السلسلة SA58631 Series 6 - 30 ديسيبل - HVSON - 8 |
|
ASC8850
| إن إكس بي | 10+ | å1/4åæ¿ | asc8850 é«æ ̧ æåæºå1/4åå H.264 1080P |