ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > Å1/4Å ³
DG212BDY
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

DG212BDY

  • æå±ç±»å«ï1/4Å1/4Å ³
  • 产åå称ï1/4التبديل التناظري / مضاعف (Mux) IC ؛ على المقاومة ، RDS (على): 85ohm ؛ وظيفة التبديل التناظرية: الغرض العام ؛ تيار التسرب: 0.5nA ؛ امدادات الجهد ماكس:
  • ååï1/4فيشاي
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4SOIC-16
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找DG212BDYçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

DG212BDY التبديل التناظري / مضاعف (Mux) IC ؛ على المقاومة ، RDS (على): 85ohm ؛ وظيفة التبديل التناظرية: الغرض العام ؛ تيار التسرب: 0.5nA ؛ امدادات الجهد ماكس: 44V؛ حزمة / حالة: 16-SOIC; متوافق مع العملية المحتوية على الرصاص: لا متوافق مع RoHS: لا

ä ̧DG212BDYç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CD4541BE تي2010+ديب 14CMOSå ̄ç1/4ç ̈å®æ¶å ̈é«çμåç±»åï1/420Vç差饷ï1/4ï1/4å ̄ç1/4ç ̈æ ̄è¡å ̈/计æ°å ̈ï1/4
ADC122S051CIMM إن إس سي10+مسوب-82ééï1/4200 kspsçä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
TB3100M-13 الثنائيات10+DO-214AA50Aæ¡çååè¡ ̈é¢è''è£ æ¶é ̧管æμªæ¶ä¿æ¤å ̈
بات 54 سي إن إكس بي11+سوت -23å°ä¿¡å·èç¹åºäºæ管
CD4001 تي10+الإجراء التشغيلي الموحد 14CMOS åè· ̄ 2 è3/4å ¥æéé ̈
ADC122S021CIMMX إن إس سي09+مسوب 82ééï1/450è³200 kspsçkspsç12ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC122S021CIMM إن إس سي10+8-MSOP2ééï1/450è³200 kspsçkspsç12ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC121S101CIMFX إن إس سي11+SOT23-6åééï1/450è³200 kspsæ¶ï1/412ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC121S101CIMF إن إس سي09+SOT-23-6åééï1/450è³200 kspsæ¶ï1/412ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC121S051CIMFX إن إس سي11+SOT23-6åééï1/4200è³500 kspsæ¶ï1/412ä1/2A / Dè1/2¬æ¢å ̈

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة
SSDN-414-005 تي اند ام2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+بي ال سي6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 إلما للإلكترونيات24+è¿æ¥å ̈81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295.
إمب-SM-3C-R10-D35 أمفينول24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
51513-12-12T12 حلول الربط البيني من آي تي تي23+è¿æ¥å ̈VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22

VISHAYåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SI2304BDS فيشاي10+سوت -23قناة N 30-V (D-S) MOSFET
SI2304BDS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23قناة N 30-V (D-S) MOSFET
Si2328DS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308DS فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308DS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308BDS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308BDS فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
IRF1010 فيشاي10+إلى -263قوة موسفيت (Vdss = 60 فولت ، RDS (تشغيل) = 12 مو أوم ، معرف = 84 أمبير
IRF1310S فيشاي10+إلى -263الطاقة MOSFET (Vdss = 100V ، RDS (تشغيل) = 0.036 أوم ، المعرف = 42 أمبير)
IRF1310 فيشاي10+إلى -220الطاقة MOSFET (Vdss = 100V ، RDS (تشغيل) = 0.036 أوم ، المعرف = 42 أمبير)
IRF510STRRPBF فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510STRR فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510STRLPBF فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510STRL فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510SPBF فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510S فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510PBF فيشاي11+إلى -220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF510 فيشاي11+إلى -220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET
IRF511 فيشاي11+إلى -220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ RES 4.75K-OHM 1٪ 0.125W 100PPM سميكة فيلم SMD-0805 5K / بكرة -7IN-PA
IRF512 فيشاي11+إلى -220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ وحدات MOSFET للطاقة ذات القناة N، 5.5 أمبير، 60-100 فولت

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·