ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > źæåºç®¡
HAT2168H-EL-E
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

HAT2168H-EL-E

  • æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4السيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
  • ååï1/4رينيساس
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4ليباك
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/47000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找HAT2168H-EL-Eçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

HAT2168H-EL-Eالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة

ä ̧HAT2168H-EL-Eç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
PSB2168HV2.4 إنفينيون01+QFP-80På ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§
PSB2168HV4.1 إنفينيونO3QFP-80På ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§
HAT2168H-EL-E رينيساس10+ليباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2168H رينيساس10+ليباكMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; معرف (أ): 30; Pch : - ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0063 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0091]؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة
SSDN-414-005 تي اند ام2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+بي ال سي6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 إلما للإلكترونيات24+è¿æ¥å ̈81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295.
إمب-SM-3C-R10-D35 أمفينول24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
51513-12-12T12 حلول الربط البيني من آي تي تي23+è¿æ¥å ̈VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22

RENESASåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
HAT2170H-EL-E رينيساس10+ليباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2171H-EL-E رينيساس10+ليباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2279H-EL-E رينيساس10+ليباكMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 80; معرف (أ): 30; Pch : 25; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0095 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.011] ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @
HAT2284H-EL-E رينيساس10+ليباكMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; المعرف (أ): 35; Pch : 55; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0034 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.005]؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @
HAT2137H رينيساس10+إلى -252MOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 40; معرف (أ): 45; Pch : 30; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 3.8 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V [4.5 فولت]: - ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @ 2.5 فولت: - ؛
HAT2170H رينيساس10+لفبكاالسيليكون N قناة MOSFET تبديل الطاقة
HAT2171H رينيساس10+لفبكاالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2284H رينيساس10+لفبكاMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; المعرف (أ): 35; Pch : 55; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0034 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.005]؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @
HAT2116H رينيساس10+إلى252-4MOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; معرف (أ): 30; Pch : 15; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0063 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0105] ؛ RDS (ON) النوع. (أوم)
HAT2143H رينيساس10+ليباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2168H رينيساس10+ليباكMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; معرف (أ): 30; Pch : - ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0063 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0091]؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @
HAT2168N رينيساس10+ليباكMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; معرف (أ): 30; Pch : - ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0063 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0091]؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @
HAT2169H رينيساس10+ليباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2197WP رينيساس10+QFN8MOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; المعرف (أ): 35; Pch : 20; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0049 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0064]؛ RDS (ON) النوع. (أوم)
HAT2198WP رينيساس10+QFN8MOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; معرف (أ): 25; Pch : 15; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0068 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0092]؛ RDS (ON) النوع. (أوم)
HAT2199WP رينيساس10+QFN8MOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 30; معرف (أ): 15; Pch : 10; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0125 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.0165]؛ RDS (ON) النوع. (أوم)
HAT2173H رينيساس10+لفباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2173H-EL-E رينيساس10+لفباكالسيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2244WP رينيساس10+QFN-8السيليكون N قناة الطاقة MOS FET تبديل الطاقة
HAT2279H رينيساس10+لفباكMOSFET ، التبديل ؛ VDSS (V): 80; معرف (أ): 30; Pch : 25; RDS (ON) النوع. (أوم) @10V: 0.0095 ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @4V[4.5 فولت]: [0.011] ؛ RDS (ON) النوع. (أوم) @

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·