| åå· | åå | æ¹å· | å ° è £ | è ̄'æ |
|
IRG4PSC71UDPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2011 | إلى-247 | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤ºæç¡® بوابة معزولة ترانزستور ثنائي القطب مع صمام ثنائي استرداد ناعم فائق السرعة |
|
IR2112STRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2011 | الإجراء التشغيلي الموحد 16 | سائق جانبي مرتفع ومنخفض ، إدخال إيقاف التشغيل في حزمة DIP ذات 14 سنا ؛ IR2112 معبأ في SOIC مكون من 16 رصاصا يتم شحنه على شريط وبكرة |
|
IRLZ44NPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2011 | إلى 220 | 55V أحادي N-Channel HEXFET Power MOSFET في حزمة TO-220AB ؛ IRLZ44NPBF مع عبوة قياسية |
|
IRF7406TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد 8 | -30 فولت أحادي القناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ على غرار IRF7406TR مع عبوات خالية من الرصاص على الشريط والبكرة |
|
IR2104STRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد 8 | سائق نصف الجسر ، دبوس إغلاق مدخل واحد بالإضافة إلى دبوس إيقاف التشغيل العكسي ، تم إصلاح 520ns Deadtime في حزمة DIP ذات 8 سنون ؛ يتم شحن IR2104 معبأ في 8 رصاص SOIC |
|
IRAMY20UP60B
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الرمز البريدي -18 | موصل دائري عدد جهات الاتصال:18; السلسلة: MS27505; مادة الجسم: الألومنيوم. إنهاء التوصيل: تجعيد ؛ حجم غلاف الموصل: 15 ؛ كونتاك التعميم |
|
IRFR5505TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -252 | -55 فولت أحادي القناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D-Pak ؛ مماثل IRFR5505TR مع عبوات خالية من الرصاص على الشريط والبكرة |
|
IRF2804PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى 220 | æ±1/2è1/2¦MOS管 |
|
IRFZ32
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | إلى 220 | الترانزستور | موسفت | قناة N | 50 فولت V(BR)DSS | 25 أ أنا (د) | TO-220AB |
|
IRF7470PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | الإجراء التشغيلي الموحد 8 | HEXFET باور MOSFET |
|
IR2113STR
| الاشعه تحت الحمراء | 06+ | الإجراء التشغيلي الموحد 16 | سائق جانبي عالي ومنخفض ، جميع دبابيس الجهد العالي على جانب واحد ، منطق منفصل وأرض طاقة ، اغلاق في حزمة DIP ذات 14 سنا ؛ أ IR2113 معبأ في |
|
IR21592STRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد 16 | التحكم في الصابورة الخافت ، الحماية من اللون البني ، وقت التسخين المسبق القابل للبرمجة ، 1.8us Deadtime في حزمة SOIC الضيقة المكونة من 16 رصاصا ؛ مماثل ل IR21592STR مع |
|
IRG4PC40UDPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى-247 | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤ºæç¡® بوابة معزولة ترانزستور ثنائي القطب مع صمام ثنائي استرداد ناعم فائق السرعة |
|
IPS1051LTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2009+ | سوت -223 | Å / Åééæºè1 / 2åçä1 / 2è3 / 4¹ 1 / 4Å ³ مفتاح جانبي منخفض ذكي أحادي / ثنائي القناة |
|
IRGS14C40LPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | IGBT مع مشابك باعث البوابة على الرقاقة ومشابك مجمع البوابة |
|
IRF3205ZPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | تي 0-220 | 55V أحادي N-Channel HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TO-220AB ؛ IRF3205ZPBF مع عبوة قياسية |
|
IRU3037CS
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراءات التشغيلية الموحدة 8 | PWM 400 كيلو هرتز مزامنة Contr في حزمة SOIC ذات 8 سنون (ملحوظة) ؛ مماثل ل IRU3037ACS مع عبوات خالية من الرصاص |
|
IRU3037ACSTR
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراءات التشغيلية الموحدة 8 | PWM 400 كيلو هرتز مزامنة Contr في حزمة SOIC ذات 8 سنون (ملحوظة) ؛ مماثل ل IRU3037ACS مع عبوات خالية من الرصاص |
|
IRU3037ACSPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراءات التشغيلية الموحدة 8 | PWM 400 كيلو هرتز مزامنة Contr في حزمة SOIC ذات 8 سنون (ملحوظة) ؛ مماثل ل IRU3037ACS مع عبوات خالية من الرصاص |
|
IRU3037ACS
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراءات التشغيلية الموحدة 8 | 8å1/4èåæ¥PWMæ§å¶å ̈ |