| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF3709ZSPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRF3707ZCSTRRP
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار |
|
IRF3707ZCSPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار |
|
IRF3707ZSPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار |
|
IRF3707ZSTRRP
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار |
|
IRF3707ZSTRLP
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار |
|
IRF3707ZCSTRLP
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار |
|
IRF2903ZSTRRP
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF2903ZSPBF يتم شحنها على الشريط والبكرة |
|
IRF2903ZSTRLP
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -263 | 30V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF2903ZSPBF يتم شحنها على الشريط والبكرة |
|
IRF2903ZSPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | موسفيت السيارات |
|
IRF8852TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 25V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة |
|
IRF8852PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 25V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة |
|
IRFH5250TR2PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 25V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة |
|
IRFH5250TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 25V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة |
|
IRF8252TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 25V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة |
|
IRF8252PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 25V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة |
|
IRF7105QTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRF7105QPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLU8713PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -251 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLU8259PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -251 | 25V أحادي القناة N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة I-Pak |