| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF1902GPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF1902TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة |
|
IRF1902PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF1902TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة |
|
IRF1902TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF1902TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة |
|
IRF7317TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N و P HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص |
|
IRF7307TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N و P HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص |
|
IRF7307PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N و P HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص |
|
IRF7307QTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N و P HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص |
|
IRF7307QPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N و P HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص |
|
IRF9910PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF9910TR مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRF8910PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRF8915PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7331TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة |
|
IRF8915TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7331TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة |
|
IRF7331PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | 20V ثنائي القناة N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7331TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة |
|
IRF7311PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRF7301TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRF7301PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRF7530TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | مايكرو 8 | 20V المزدوج N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة مايكرو 8 ؛ مماثل ل IRF7530 مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRF7530PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | مايكرو 8 | 20V المزدوج N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة مايكرو 8 ؛ مماثل ل IRF7530 مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRF7507PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | مايكرو 8 | N-Channel HEXFET Power MOSFET(Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
|
IRF7601TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | SOT-263 | N-Channel HEXFET Power MOSFET(Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |