ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > źæåºç®¡
IRF7754TRPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF7754TRPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4-12V مزدوج P-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8 ؛ على غرار IRF7754 مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة.
  • ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4تسوب-8
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/490000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRF7754TRPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF7754TRPBF-12V مزدوج P-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8 ؛ على غرار IRF7754 مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة.

ä ̧IRF7754TRPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF7754TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+تسوب-8-12V مزدوج P-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8 ؛ على غرار IRF7754 مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة.

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
D-U204-ELK مورس سميت24+Ç»§μå ̈ç¬æ¶ç»§μå ̈
RC16M23D28 سوريو-صنبانك2023+è¿æ¥å ̈الاتصالات الدائرية القياسية تجعيد المقبس الاتصال 16-20 AWG
CM300DY-24J ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي الكهربائية 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
CM300DY-24 سنة ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي الكهربائية 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
PT02E10-6 ثانية أمفينول العمليات الصناعية24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 6POS كأس لحام
KP02A14-15 ثانية شركة أمفينول24+è¿æ¥å ̈موصل دائري ، وعاء ، حجم 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ،
يو ملتي لينك إف إكس إن إكس بي24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10

IRåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF7702TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+تسوب-8-12V أحادي القناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8 ؛ على غرار IRF7702 مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة.
IRF7701TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+تسوب-8-12V واحد P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8
IRF7410PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFET السلطة موسفيت
IRF7329TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFET السلطة موسفيت
IRF7329PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFET السلطة موسفيت
IRF7325PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8-12V مزدوج P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7325TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة
IRF7325TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8-12V مزدوج P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ مماثل ل IRF7325TR مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة
IRF7420TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFETâ السلطة MOSFET
IRF7420PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFETâ السلطة MOSFET
IRF7233TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFETâ السلطة MOSFET
IRF7233PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFETâ السلطة MOSFET
IRF7433TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFETâ السلطة MOSFET
IRF7433PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFETâ السلطة MOSFET
IRF7410GTRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8-12V أحادي القناة P-HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ IRF7410 مع شريط وتغليف بكرة
IRF7410GPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8-12V أحادي القناة P-HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ IRF7410 مع شريط وتغليف بكرة
IRF7210PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFET السلطة موسفيت
IRF7210TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8-12V أحادي القناة P-HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 ؛ IRF7210 مع شريط لاصق وتغليف بكرة
IRF7220PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8HEXFET السلطة موسفيت
IRF7755TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -8-20V مزدوج P-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8 ؛ مماثل ل IRF7755 مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة
IRF7750TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+مسوب-8.-20V مزدوج P-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TSSOP-8 ؛ على غرار IRF7750 مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة.

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·