产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
IRLR3717TRPBF
- æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
- 产åå称ï1/4HEXFET السلطة موسفيت
- ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
- ç产æ¹å·ï1/410+
- å°è£ ï1/4SOT-263
- åºåç¶æï1/4Æåºå
- åºåéï1/49000
- æä1/2订è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
IRLR3717TRPBFHEXFET السلطة موسفيت
ä ̧IRLR3717TRPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF3717TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | HEXFETباور موسفيت |
|
IRLR3717TRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | SOT-263 | HEXFET السلطة موسفيت |
çé ̈æç'¢
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
KPT02E8-4 ص
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء |
|
HSC1008R2J
| تي | 24+ | تراجع | عائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة. |
|
27914-30T12
| آي تي تي | 2023+ | è¿æ¥å ̈ | أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد |
|
AF8 / WA27F
| شركة دانيلز للتصنيع (DMC) | 24+ | å·¥å · | DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å |
|
CMF8342T
| سي إم إف | 23+ | æ ̈¡å | Tç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å |
|
RWR78N39R2FR
| فيشاي | 24+ | تراجع | الدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري |
|
ETP41L18BXUU
| إس تي بي آي | 22+ | Ç»§μå ̈ | مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC |
|
MPS100ASC
| ä ̧è± | 2024+ | å·¥å · | ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈ |
|
TFPT1206L1001FV
| فيشاي ديل | 24+ | 1206 | مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206 |
|
CKRA2410
| شركة كريدوم | 23+ | Ç»§μå ̈ | مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ، |
|
KDN-B-110V
| مورس سميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC |
|
4403-000LF
| سي تي اس | 2024+ | تراجع | å3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈ |
|
MPY20W1470FB00MSSD
| ويما | 2023+ | ديب2 | MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10 |
|
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0
| موصلات AB | 24+ | è¿æ¥å ̈ | كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب |
|
M3-A230
| مورسميت | 2024+ | Ç»§μå ̈ | المكونات في ترحيل للأغراض العامة |
|
SSDN-414-005
| تي اند ام | 2024+ | ç'æ | æ æåè1/2'åæμå ̈ |
|
6ES7214-1BG31-0XB0
| 西é ̈å | 23+ | بي ال سي | 6ES7214-1BG31-0XB0 |
|
81-206-01
| إلما للإلكترونيات | 24+ | è¿æ¥å ̈ | 81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295. |
|
إمب-SM-3C-R10-D35
| أمفينول | 24+ | è¿æ¥å ̈ | é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈ |
|
51513-12-12T12
| حلول الربط البيني من آي تي تي | 23+ | è¿æ¥å ̈ | VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22 |
IRåç产åæ ̈è
| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRLR3717PBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | SOT-263 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3717TRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | SOT-263 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRFR3711ZTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -252 | زينر التطبيق: عام. PD (ميغاواط): 400; VZ (V): 5.1 إلى 5.3 ؛ الحالة Iz عند Vz (مللي أمبير): 5 ؛ C (pF) كحد أقصى: - ؛ الحالة VR عند C (V): ESD (kV) دقيقة: |
|
IRFR3711ZTRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -252 | زينر التطبيق: عام. PD (ميغاواط): 400; VZ (V): 5.1 إلى 5.3 ؛ الحالة Iz عند Vz (مللي أمبير): 5 ؛ C (pF) كحد أقصى: - ؛ الحالة VR عند C (V): ESD (kV) دقيقة: |
|
IRFR3711ZTRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -252 | زينر التطبيق: عام. PD (ميغاواط): 400; VZ (V): 5.1 إلى 5.3 ؛ الحالة Iz عند Vz (مللي أمبير): 5 ؛ C (pF) كحد أقصى: - ؛ الحالة VR عند C (V): ESD (kV) دقيقة: |
|
IRFR3711ZPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -252 | زينر التطبيق: عام. PD (ميغاواط): 400; VZ (V): 5.1 إلى 5.3 ؛ الحالة Iz عند Vz (مللي أمبير): 5 ؛ C (pF) كحد أقصى: - ؛ الحالة VR عند C (V): ESD (kV) دقيقة: |
|
IRFR3704ZTRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D-Pak ؛ مماثل ل IRFR3704Z مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRFR3704ZTRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D-Pak ؛ مماثل ل IRFR3704Z مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRFR3704ZPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D-Pak ؛ مماثل ل IRFR3704Z مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRLR3715ZTRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3714ZTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3715ZPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3714ZPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3715ZTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3715ZTRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3714ZTRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | SOT-263 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3714ZTRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | SOT-263 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRLR3715ZCPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى -252 | HEXFET السلطة موسفيت |
|
IRFR3704ZCTRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | 10+ | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D-Pak ؛ مماثل ل IRFR3704Z مع تغليف خالي من الرصاص |
|
IRFR3704ZCPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | 10+ | 20V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D-Pak ؛ مماثل ل IRFR3704Z مع تغليف خالي من الرصاص |