| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BZG03C18TR3
| فيشاي | 10+ | DO-214AC | الصمام الثنائي ، زينر بكرة 1500 ؛ الجهد ، VZ: 18V ؛ الحالي ، الاختبار: 25mA ؛ نمط القضية: SMA. نوع الإنهاء: SMD ؛ نمط الحالة ، بديل: DO-214AC ؛ الحالي ، زينر: 25mA |
|
1N4937-E3 / 54
| فيشاي | 10+ | | مقوم البلاستيك سريع التبديل (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈) |
|
BZG03C39TR
| فيشاي | 10+ | DO-214AC | السيليكون Z-الثنائيات |
|
SI6954ADQ-T1-E3
| فيشاي | 10+ | تسوب-8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة P مزدوجة ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 3.1A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 0.075ohm ؛ RDS (على) |
|
SFH618A-5
| فيشاي | 10+ | ديب-4 | الترانزستور الضوئي ، 5.3 كيلو فولت TRIOS انخفاض التيار المدخلات Optocoupler |
|
S07G-GS08
| فيشاي | 10+ | سود 123 | الثنائيات جبل سطح صغير |
|
BZD27C5V6P-GS08
| فيشاي | 10+ | سود 123 | صمامات زينر الثنائية مع مواصفات التيار المفاجئة |
|
SI9410BDY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | SOP8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 8.1A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 24mohm ؛ RDS (على) اختبار V |
|
SI4442DY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 22A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 4.5mohm ؛ RDS (على) اختبار V |
|
BAR64V-02V
| فيشاي | 03+ | SOD523 | |
|
SI3585DV-T1-E3
| فيشاي | 10+ | تسوب-6 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N / P المزدوجة ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 20V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 19A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 0.2ohm ؛ RDS (على) |
|
BZD27C39P-GS08
| فيشاي | 10+ | سوت-123 | صمامات زينر الثنائية مع مواصفات التيار المفاجئة |
|
SI4463BDY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة P ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 10A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 0.014ohm ؛ حزمة / حالة: 8-SOIC; متوافق مع العملية المحتوية على الرصاص |
|
SI4840DY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 40V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 14A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 9mohm ؛ RDS (على) اختبار المجلد |
|
SI6433BDQ-T1-E3
| فيشاي | 10+ | TSSOP8 | 20V P- قناة باورخندق MOSFET |
|
IRFB20N50KPBF
| فيشاي | 10+ | إلى 220AB | HEXFET السلطة موسفيت |
|
SI4947ADY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | SOP8 | متوافق مع العملية المحتوية على الرصاص: نعم ؛ متوافق مع ذروة إعادة التدفق (260 درجة مئوية): نعم متوافق مع RoHS: نعم |
|
SI4410BDY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | قناة N 30-V (D-S) MOSFET |
|
SI6433BDQ-T1-GE3
| فيشاي | 10+ | تسوب-8 | 20V P- قناة باورخندق MOSFET |
|
GL41Y
| فيشاي | 11+ | DO-213AB | äºæ管 |