LM5111-1M

• 独立驱动两个N沟道MOSFET
• 复方CMOS和双极输出，降低输出电流的变化
• 5A sink/3A源电流能力
• 两个通道可并行连接的双驱动电流
• 独立输入（TTL兼容）
• 快速传播的时间（25 ns典型）
• 快速的上升和下降时间（14 ns/12 ns上升/下降2 nF的负载）
• 提供两个非反相，双反相和组合配置
• 供应铁路欠压锁定保护（UVLO）
• LM5111 - 4 UVLO配置为驱动PFET，通过OUT_A和NFET通过OUT_B
• 与行业标准的栅极驱动器引脚兼容

说明

LM5111双门驱动器取代行业标准的栅极驱动器，提高峰值输出电流和效率。 每个“复合型”输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行，一起下沉超过5A容性负载峰。 MOS和双极型器件相结合的独特特征，降低驱动电压和温度的电流变化。 还提供了欠压锁定保护。 司机可以在输入和输出连接到双驱动电流能力的同时操作。 该器件采用SOIC - 8封装或耐热增强型的MSOP8 - EP封装。