ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > źæåºç®¡
NTMS4706NR2
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

NTMS4706NR2

  • æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4قوة MOSFET 30 فولت ، 10.3 أمبير ، قناة N واحدة ، SO-8 ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500
  • ååï1/4على
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4الإجراء التشغيلي الموحد -8
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找NTMS4706NR2çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

NTMS4706NR2قوة MOSFET 30 فولت ، 10.3 أمبير ، قناة N واحدة ، SO-8 ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500

ä ̧NTMS4706NR2ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
NTMS4706NR2 على11+الإجراء التشغيلي الموحد -8قوة MOSFET 30 فولت ، 10.3 أمبير ، قناة N واحدة ، SO-8 ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500
NTMS4706NR2G على11+الإجراء التشغيلي الموحد -8قوة MOSFET 30 فولت ، 10.3 أمبير ، قناة N واحدة ، SO-8 ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CM300DY-24J ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي الكهربائية 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
CM300DY-24 سنة ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي الكهربائية 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
PT02E10-6 ثانية أمفينول العمليات الصناعية24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 6POS كأس لحام
KP02A14-15 ثانية شركة أمفينول24+è¿æ¥å ̈موصل دائري ، وعاء ، حجم 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ،
يو ملتي لينك إف إكس إن إكس بي24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة

ONåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
NTMS4706NR2G على11+الإجراء التشغيلي الموحد -8قوة MOSFET 30 فولت ، 10.3 أمبير ، قناة N واحدة ، SO-8 ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500
NTMS7N03R2 على11+الإجراء التشغيلي الموحد -8قوة MOSFET 7 أمبير ، 30 فولت ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500
NTMS7N03R2G على11+الإجراء التشغيلي الموحد -8قوة MOSFET 7 أمبير ، 30 فولت ؛ الحزمة: SOIC-8 الجسم الضيق. عدد الدبابيس: 8 ؛ الحاوية: الشريط والبكرة. الكمية لكل حاوية: 2500
NDT2955 على10+سوت -223وضع تحسين القناة P تأثير المجال الترانزستوري1/4-2.5Aï1/4-60Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4üæμ-2.5A, æ1/4æºçμå-60Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
MC1496D على10+الإجراء التشغيلي الموحد 14平衡è°å¶å ̈/解è°å ̈
1N5807 على10+سوت 23è¡ ̈é¢è''è£ æ°å ̄å°è¶ å¿«æ'æμäºæ管ï1/4ååçμå100Vçï1/4å¹³åæ£åçμæμ6Aæ¡ï1/4è¡ ̈è''å°è£ ï1/4å ̄å°è¶ å¿«æ¢å¤æ'æμäºæ管ï1/4
RCLAMP0504S. TCT-REEL على10+SOT163صفيف تلفزيونات IC منخفض الغطاء SOT23-6
AD8541ARTZ بكرة على10+SOT23-5éç ̈CMOSè1/2 ̈å°è1/2 ̈æ3/4大å ̈ مكبرات الصوت CMOS للأغراض العامة من السكك الحديدية إلى السكك الحديدية
MC78M12CDTRKG على10+SOT-252500æ ̄«å®æ£çμåç ̈³åå ̈ 5.1Vout 1.5Amp إدخال واسع إيجابي خطوة إلى أسفل ISR 3-SIP وحدة
MMSZ4685T1G على10+سود-123منظمات الجهد زينر 500 ميغاواط SODâ123 سطح جبل
MMSZ4679T1G على2010سود-123منظمات الجهد زينر 500 ميغاواط SODâ123 سطح جبل
MMBT4401LT1G على10+سوت -23åæåå°ä¿¡å·æ¶ä1/2管
NUP4301 على09+سوت-163ä1/2çμ容äºæ管éμåï1/4å ̈4æ¡æ°æ®çº¿è· ̄ESDä¿æ¤
MJE13009 على10+إلى -220é«åå¿«éNPNçμæºå1/4å ³æ¶ä1/2管
د.ب236 على10+إلى -126PNP ترانزستور السيليكون فوق المحوري (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管)
د.ب234 على10+إلى -126PNP ترانزستور السيليكون فوق المحوري (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管)
د.ب238 على10+إلى -126PNP ترانزستور السيليكون فوق المحوري (PNPç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管)
MJE800 على2010+إلى-126 فهرنهايتترانزستورات طاقة السيليكون التكميلية البلاستيكية دارلينجتون (ä ºè ¡ ¥åè 3/43 / 4æé ¡ ¿ç ¡ åçæ ¶ä 1 / 2ç® ¡)
د.ب682 على2010+إلى-126 فهرنهايتالبلاستيك متوسط الطاقة السيليكون PNP دارلينجتون (4.0A، 40Wï1/460V، å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ PNPè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
د.ب678 على2010+إلى-126 فهرنهايتالبلاستيك متوسط الطاقة السيليكون PNP دارلينجتون (4.0A، 40Wï1/460V، å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ PNPè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·