ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > ç²æ¡¥æ'æμå ̈
SB310
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

SB310

  • æå±ç±»å«ï1/4ç²æ¡¥æ'æμå ̈
  • 产åå称ï1/4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈æ'æμäºæ管
  • ååï1/4فيشاي
  • ç产æ¹å·ï1/409+
  • å°è£ ï1/4DO-201AD
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/40
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找SB310çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

 åç ̧3.0å®å¹ãç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈

المعدل شوتكي واحد 3A 100V 80A-IFSM 0.79V-VF 0.5mA-IR DO-201AD 500 / السائبة

ä ̧SB310ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IPD10N03LA إنفينيون2010+إلى252-3åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 25.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 10.4 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (
IPD09N03LB إنفينيون2010+إلى252-3åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 9.1 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @
IPD090N03LG إنفينيون2010+إلى -252åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 9.0 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @
SB3100 فيشاي10+DO-201ABæ¡¥å1/4æ'æμå ̈æ'æμäºæ管
IPD06N03LB إنفينيون2010+إلى -252åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 30.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 6.1 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @
IPD06N03LA إنفينيون2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 25.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 5.1 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @
IPD060N03LG إنفينيون2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 25.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 5.1 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @
SB305G سبتمبر10+تراجع 
IPD05N03LB إنفينيون2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 25.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 5.1 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @
IPD05N03LA إنفينيون2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFETs (20Vâ¦250V); الحزمة: PG-TO252-3 ؛ الحزمة: DPAK (TO-252) ؛ VDS (الحد الأقصى): 25.0 فولت ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) (@10V): 5.1 مللي أوم ؛ RDS (تشغيل) (الحد الأقصى) ( @

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة
SSDN-414-005 تي اند ام2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+بي ال سي6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 إلما للإلكترونيات24+è¿æ¥å ̈81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295.
إمب-SM-3C-R10-D35 أمفينول24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
51513-12-12T12 حلول الربط البيني من آي تي تي23+è¿æ¥å ̈VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22

VISHAYåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
FDMS8662 فيشاي2010+QFN-830V N- قناة باورخندق MOSFET ؛ الحزمة: قوة 56 (PQFN); عدد الدبابيس: 8 ؛ حاوية: شريط وبكرة
FDMS8660S فيشاي2010+QFN-8N -ééçPowerTrenchå1/4SyncFETï1/430Vçï1/440Aæ¡ï1/42.4mOHM
SI4435DY فيشاي2010+الإجراء التشغيلي الموحد -830V P- قناة باورخندق MOSFET ؛ عدد الدبابيس: 8 ؛ حاوية: شريط وبكرة
SMAJ15CA فيشاي10+DO-214ACè¡ ̈é¢è'è£ ç¬æçμåæå¶å ̈
RS407L-B فيشاي08+تراجع第4A 1000Vçæ'æμæ¡¥çRS - 4å
RS407L فيشاي08+تراجعæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IHLP5050FDRZR40M01 فيشاي09+ام اس ديèé«çμæμçμæå ̈
RMB6S فيشاي10+SMD-40.8å®å¹å3/4®åç»çè¡ ̈é¢éåå¿«æ¢å¤æ'æμ桥山
RMB2S فيشاي08+الإجراء التشغيلي الموحد-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SBA80 فيشاي10+ديب-4ç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SBA60 فيشاي07+تراجعç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SBA405 فيشاي09+ديب-4ç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SBA40 فيشاي09+تراجعç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SBA20 فيشاي09+تراجعç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SB80 فيشاي09+تراجعç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ï1/4éåç»çåç ̧æ¡¥æ'æμå ̈ï1/4
G5SB60 فيشاي09+تراجعç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SB40 فيشاي09+تراجعç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
G5SB20 فيشاي09+ديب-4ç»çéååç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
DF08S فيشاي09+ام اس دي1.5å®å¹æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ï1/41.5å®å¹æ¡¥æ'æμå ̈ï1/4
DF06 فيشاي09+SMD-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·