| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
Si7850DP
| فيشاي | 10+بيتابايت | سوت -23 | Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET |
|
SI2301BDS
| فيشاي | 10+بيتابايت | سوت -23 | NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管 |
|
Si2307CDS
| فيشاي | 10+بيتابايت | سوت -23 | NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管 |
|
Si4425DDY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4PowerTrenchTM MOSFET MOSFET; قطبية الترانزستور: قناة P ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: -30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: -11A ؛ على المقاومة |
|
Si4435DDY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4çPowerTrench MOSFETç |
|
Si4925DDY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | åPæ²éï1/4é»è3/4å±æ¬¡ï1/4çPowerTrench MOSFETç |
|
Si4431CDY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | Pæ²é30 Vçï1/4å ̄ï1/4MOSFETç |
|
Si9435BDY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | Péé30Vï1/4D-Sï1/4MOSFET MOSFET |
|
SI4485DY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | åPæ²éSO-8 ä1/2RDSï1/4onï1/4MOSFET |
|
Si4953ADY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | åPæ²éSO-8 ä1/2RDSï1/4onï1/4MOSFET |
|
Si4947ADY
| فيشاي | 11+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | åPæ²é30 Vçï1/4å ̄ï1/4MOSFETç |
|
RU20JGF
| فيشاي | 2011 | سود-57 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BY203-20S
| فيشاي | 2011 | سود-57 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYV28-100
| فيشاي | 2011 | سود-64 | è¶ é«éä1/2æ失æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4è¶ å¿«éä1/2æèæ§å¶çéªå'æ'æμå ©̈ï1/4 مكثف كهربائيا من الألومنيوم; السعة: 15uF ؛ السعة التسامح: +/- 10 ٪ ؛ العمل الجهد، DC: 150V؛ تيرمينال تاي |
|
BYV26D
| فيشاي | 2011 | سود-57 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
BYV26E
| فيشاي | 2011 | سود-57 | å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤æ§å¶éªå'æ'æμå ©̈ï1/4å¿«éè1/2 ̄æ¢å¤å ̄æ§éªå'æ'æμå ©̈ï1/4 |
|
SF1200
| فيشاي | 2011 | سود-57 | è¶ å¿«éæ'æμå ̈ |
|
SF1600
| فيشاي | 2011 | سود-57 | è¶ å¿«éæ'æμå ̈ |
|
بايت54 م
| فيشاي | 2011 | سود-57 | é«éæ'æμå ̈ |
|
GUFB15M
| فيشاي | 07+ | دو-15 | 1.5Å®Å¹è¶ Å¿«Çå1/4Å ³ميغا مقومات 1.5 أمبير فائقة السرعة تحويل ميغا مقومات |