ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > éæçμè· ̄(IC)
TC9149
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

TC9149

  • æå±ç±»å«ï1/4éæçμè· ̄(IC)
  • 产åå称ï1/4å ̄¹äºçº¢å¤é¥æ§æ¥æ¶å ̈
  • ååï1/4توشيبا
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4ديب-16
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/40
  • æä1/2订è'éï1/4
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找TC9149çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»
å ̄¹äºçº¢å¤é¥æ§æ¥æ¶å ̈

ä ̧TC9149ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
HS9149ALï1/4SC9149ALï1/4 النظام المنسق04+ديب 16å ̈æ °åè £
HS9149Aï1/4SC9149Aï1/4 النظام المنسق04+ديب 16å ̈æ °åè £
SC9149 إس سي05+تراجعǺ¢å¤æ¥æ¶é¥æ§Μè· ̄
TC9149 توشيبا11+ديب-16å ̄¹äºçº¢å¤é¥æ§æ¥æ¶å ̈
GX9149P جي اكس03+تراجع 
GX9149D جي اكس03+تراجع 
TC9149D توشيبا03+تراجع 
HS9149A سانت03+تراجع 
SC9149A إس إل03+تراجع 
XG9149A إكس جي05+تراجع 

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة
SSDN-414-005 تي اند ام2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+بي ال سي6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 إلما للإلكترونيات24+è¿æ¥å ̈81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295.
إمب-SM-3C-R10-D35 أمفينول24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
51513-12-12T12 حلول الربط البيني من آي تي تي23+è¿æ¥å ̈VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22

TOSHIBAåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
TA7368P توشيبا2011+سوبé³é¢åçæ3/4大å ̈
TA2111 توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد 243Vçè°å¹ /è°é¢1è ̄çè°è°å ̈éæçμè· ̄
STL150N3LLH5 توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8N-قناة 30 فولت، 0.0014 O، 35 A - PowerFLATâ ¢ (6x5) STripFETâ ¢ V الطاقة MOSFET
STS7PF30L توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8قناة P 30 فولت - 0.16 أمبير - 7 أمبير - SO-8 STripFETâ© II باور موسفيت
STN2NF10 توشيبا10+سوت -223N-قناة 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFETâ© II الطاقة MOSFET
STS5N15F4 توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8- قناة 150 فولت - 0.045 أوم - 5 أمبير SO-8 شحن بوابة منخفض STripFETâ© السلطة MOSFET
STS4DNF60 توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8Næ²é60Vçï1/40.045Ω- 4Aæ¡çSO - 8 STripFETåçMOSFETï1/4ä ̧éç ̈æ²éåçMOSFETçï1/4
STS4DNF60L توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8Næ²é60Vçï1/40.045Ω- 4Aæ¡çSO - 8 STripFETåçMOSFETï1/4ä ̧éç ̈æ²éåçMOSFETçï1/4
TPC8024-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPC8021-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPC8020-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPC8018-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPC8017-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPC8014 توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPCA8004-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPCA8019-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPCA8A04-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPCA8028-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPCA8006 توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)
TPCA8006-H توشيبا10+الإجراء التشغيلي الموحد -8تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII)

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·