åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
TPC8120
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPC8117
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPC8114
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPC8112
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPC8107
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPC8118
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPC8122
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TOSHIBA تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) |
TPCA8016-H
| توشيبا | 10+ | QFN-8 | é«éåé«æçDC - DCè1/2¬æ¢å ̈ç¬è®°æ¬çμèåºç ̈ä3/4¿æºå1/4è®3/4å¤åº محولات DC-DC عالية السرعة وعالية الكفاءة تطبيقات الكمبيوتر المحمول تطبيقات المعدات المحمولة |
TPCA8016
| توشيبا | 10+ | QFN-8 | é«éåé«æçDC - DCè1/2¬æ¢å ̈ç¬è®°æ¬çμèåºç ̈ä3/4¿æºå1/4è®3/4å¤åº محولات DC-DC عالية السرعة وعالية الكفاءة تطبيقات الكمبيوتر المحمول تطبيقات المعدات المحمولة |
TPC8113
| توشيبا | 10+ | SOP8 | æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马é山Šالترانزستور السيليكون P قناة نوع MOS |
TPC8121
| توشيبا | 10+ | SOP8 | æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马é山Šالترانزستور السيليكون P قناة نوع MOS |
TPC8111
| توشيبا | 10+ | SOP8 | æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马é山Šالترانزستور السيليكون P قناة نوع MOS |
TPC8103
| توشيبا | 10+ | SOP8 | æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马é山Šالترانزستور السيليكون P قناة نوع MOS |
TPC8119
| توشيبا | 10+ | SOP8 | توشيبا تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة MOS نوع (U-MOS IV) Ä ̧ÈźÆźƶÄ1/2Ç®¡Ç¡ Péé马éå±±åï1/4Uå马éå±±åï1/4 |
TPC8109
| توشيبا | 10+ | SOP8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون P قناة نوع MOS |
TPC8106-H
| توشيبا | 10+ | SOP8 | نوع MOS لقناة السيليكون P |
HN4D02JU
| توشيبا | 2010+ | SOT23-5 | è¶ é«éå1/4å ³åºç ̈ تطبيقات التبديل فائقة السرعة |
DB105S
| توشيبا | 11+ | س.م.أ | åç ̧ç»çéåç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
دي بي 105
| توشيبا | 10+ | س.م.أ | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
2SA1012
| توشيبا | 14+ | إلى -220 | åçæ¶ä1/2管ï1/45Aæ¡ç50Vï1/425ç¦ï1/4 |