ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > éæçμè· ̄(IC)
TSOP1256
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

TSOP1256

  • æå±ç±»å«ï1/4éæçμè· ̄(IC)
  • 产åå称ï1/4å ̈æ °åè £
  • ååï1/4فيشاي
  • ç产æ¹å·ï1/404+
  • å°è£ ï1/4ä ̧ä1/2å
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/45000
  • æä1/2订è'éï1/40
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找TSOP1256çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»
TSOP1256å ̈æ°åè£ ç±Vishayååç产,éç ̈ä ̧ä1/2åå°è£ ,æ¹å·04+,å3/4®è ̄ç3/4å¹'éæçμè· ̄ä»åºç®åæåºå

ä ̧TSOP1256ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
موكس-2-121256F أوميت11+تراجعçμåå å ̈件
RLF12569-4R2N100 ت.د.ك10+ محث PWR 10UH 20٪ 12560 SMD
LT1256 الملازم10+تراجع -14 ، SO-1440MHzçè§é¢æ ̈ååç'æμå¢çæ§å¶æ3/4大å ̈
RLF12560T-4R2N100 ت.د.ك11+12560محاثات الطاقة 4.2uH 10AMPS
IDT71256L100DB آي دي تي0431+ديب28å ̈æ °åè £
DS31256DK دالاس05+وحداتå ̈æ °åè £
PDM41256SA15 Nï1/4ANï1/4ANï1/4Aå ̈æ°åè£ ç°è'§
IDT71256L45DB آي دي تي06+ديب-28å ̈æ °åè £
41256SA-20P قدم المساواه9251تراجعå ̈æ °åè £
71256-SA15Y آي دي تي03+04+سوجي 28å ̈æ °åè £
LB1256 سانيو04+الإجراء التشغيلي الموحد -20å ̈æ °åè £
HM51256P-8 هيتاشي9015+ديب 16Nï1/4A
IDT71256SA20Y آي دي تي00+SOJ-28Nï1/4A
GVT71256G18T-5 جلفانتيك0041+LQFP-100På ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§
41256-10 إن إي سيNï1/4ANï1/4Aå ̈æ °åè £
D41256C-80 إن إي سي00+ديب-16åè £
51256B-20PV EPMNï1/4Aتراجعå ̈æ °åè £
N341256SJ-15-TE2 98+Nï1/4ANï1/4A
D41256C-12 إن إي سي85+ديب 16Nï1/4A
MB81256-10PSZ فوجي91+الرمز البريدي-16å ̈æ °åè £

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة
SSDN-414-005 تي اند ام2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+بي ال سي6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 إلما للإلكترونيات24+è¿æ¥å ̈81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295.
إمب-SM-3C-R10-D35 أمفينول24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
51513-12-12T12 حلول الربط البيني من آي تي تي23+è¿æ¥å ̈VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22

Vishayåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SI4814DY-T1-E3 فيشاي05+الإجراء التشغيلي الموحد -8å ̈æ °åè £
1.5KE280CA فيشاي09+DO-201ç¬ææå¶äºæ管
293D106X0010A2T فيشايNï1/4ANï1/4A10UF10V-A
SI4392DT-T1 فيشاي05+سو-8Nï1/4A
TCSS-1302 فيشايNï1/4Aتراجعå çμå1/4å ³
BYT42J فيشاي03+سود-57å ̈æ °åè £
SI2302 فيشاي2011+SOT23-3NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
SI2301 فيشاي2009+SOT-23-3Pééç2.5 Vï1/4GSï1/4çMOSFETç
DG212BDY فيشاي10+SOIC-16التبديل التناظري / مضاعف (Mux) IC ؛ على المقاومة ، RDS (على): 85ohm ؛ وظيفة التبديل التناظرية: الغرض العام ؛ تيار التسرب: 0.5nA ؛ امدادات الجهد ماكس:
SI2304BDS فيشاي10+سوت -23قناة N 30-V (D-S) MOSFET
SI2304BDS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23قناة N 30-V (D-S) MOSFET
Si2328DS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308DS فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308DS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308BDS-T1-E3 فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
Si2308BDS فيشاي10+سوت -23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-قناة MOSFET ل 12-V Boardnet SMPS ؛ تكوين باك
IRF1010 فيشاي10+إلى -263قوة موسفيت (Vdss = 60 فولت ، RDS (تشغيل) = 12 مو أوم ، معرف = 84 أمبير
IRF1310S فيشاي10+إلى -263الطاقة MOSFET (Vdss = 100V ، RDS (تشغيل) = 0.036 أوم ، المعرف = 42 أمبير)
IRF1310 فيشاي10+إلى -220الطاقة MOSFET (Vdss = 100V ، RDS (تشغيل) = 0.036 أوم ، المعرف = 42 أمبير)
IRF510STRRPBF فيشاي11+إلى -263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A، 100V، 0.540 أوم، N-قناة الطاقة MOSFET

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·