ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > źæåºç®¡
IRF9520NLPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF9520NLPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4-100V واحد P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TO-262 ؛ مماثل ل IRF9520NL مع تغليف خالي من الرصاص
  • ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4إلى -235
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRF9520NLPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF9520NLPBF -100V واحد P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TO-262 ؛ مماثل ل IRF9520NL مع تغليف خالي من الرصاص

ä ̧IRF9520NLPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF9520NLPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -235-100V واحد P- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة TO-262 ؛ مماثل ل IRF9520NL مع تغليف خالي من الرصاص

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة
SSDN-414-005 تي اند ام2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+بي ال سي6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 إلما للإلكترونيات24+è¿æ¥å ̈81-206-01 هو المقبض السفلي بدون دبوس ESD. مسامير اختيارية لتثبيت الألواح الأمامية: M2.5 ،: 61-295.
إمب-SM-3C-R10-D35 أمفينول24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
51513-12-12T12 حلول الربط البيني من آي تي تي23+è¿æ¥å ̈VB CON 12 دبوس تجعيد 20-22

IRåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF633 الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوى MOSFETs ذات القناة N ، 12 أمبير ، 150-200 فولت
IRF632 الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوى MOSFETs ذات القناة N ، 12 أمبير ، 150-200 فولت
IRF631 الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوى MOSFETs ذات القناة N ، 12 أمبير ، 150-200 فولت
IRF634STRRPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634STRR الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634STRLPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634STRL الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634SPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634S الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634PBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634NSPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634NS الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634NPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634N الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF634 الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220N-Channel Power MOSFET(Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF640PBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوة MOSFET (Vdss = 200V ، RDS (تشغيل) = 0.18 أوم ، معرف = 18 أمبير)
IRF640LPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوة MOSFET (Vdss = 200V ، RDS (تشغيل) = 0.18 أوم ، معرف = 18 أمبير)
IRF640L الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوة MOSFET (Vdss = 200V ، RDS (تشغيل) = 0.18 أوم ، معرف = 18 أمبير)
IRF640 الاشعه تحت الحمراء10+إلى -220قوة MOSFET (Vdss = 200V ، RDS (تشغيل) = 0.18 أوم ، معرف = 18 أمبير)
IRF640STRRPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263قوة MOSFET (Vdss = 200V ، RDS (تشغيل) = 0.18 أوم ، معرف = 18 أمبير)

åç±»æ£ç'¢

حقوق الطبع والنشر chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·