ä ̧»é ¡ μ > 产åä ̧å¿ > źæåºç®¡
IRL7833STRRPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRL7833STRRPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4źæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4HEXFET السلطة موسفيت
  • ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4إلى -263
  • åºåç¶æï1/4Æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRL7833STRRPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRL7833STRRPBFHEXFET السلطة موسفيت

ä ̧IRL7833STRRPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRL7833STRRPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263HEXFET السلطة موسفيت

çé ̈æç'¢


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CM300DY-24J ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي الكهربائية 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
CM300DY-24 سنة ميتسوبيشي2021+æ ̈¡åميتسوبيشي الكهربائية 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, ثنائي الفينيل متعدد الكلور, Néé
PT02E10-6 ثانية أمفينول العمليات الصناعية24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 6POS كأس لحام
KP02A14-15 ثانية شركة أمفينول24+è¿æ¥å ̈موصل دائري ، وعاء ، حجم 14 ، 15 موضع ، صندوق ، نطاق المنتج: سلسلة Pt ،
يو ملتي لينك إف إكس إن إكس بي24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4 ص آي تي تي24+è¿æ¥å ̈Conn التعميم PIN 4 POS لحام ST مربع جبل 4 محطة 1 ميناء
HSC1008R2J تي24+تراجععائلة HSC من مقاومات الطاقة الموجودة بالألمنيوم 75W-500W القدرة على تبديد ، أنودة الذهب واثنين من الشفاه المتصاعدة.
27914-30T12 آي تي تي2023+è¿æ¥å ̈أبعاد التلامس - ذكر F80 تجعيد
AF8 / WA27F شركة دانيلز للتصنيع (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T سي إم إف23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR فيشاي24+تراجعالدقة 39.2 أوم 10 واط 1٪ WW محوري
ETP41L18BXUU إس تي بي آي22+Ç»§μå ̈مرحلات STPI / REL ETP6 غير مغلقة ، 6 PDT ، 1 A ، 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV فيشاي ديل24+1206مستشعر PTC 1KOHM 1٪ 1206
CKRA2410 شركة كريدوم23+Ç»§μå ̈مرحل الحالة الصلبة ، 10A 24-280V 90-280V i / p ،
KDN-B-110V مورس سميت2024+Ç»§μå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF سي تي اس2024+تراجعå3/4®å EMI # 4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD ويما2023+ديب2MP 3-Y2 4700 pF 20٪ 250 فولت تيار متردد 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 موصلات AB24+è¿æ¥å ̈كون RCPT FMALE 5POS تجعيد الذهب
M3-A230 مورسميت2024+Ç»§μå ̈المكونات في ترحيل للأغراض العامة

IRåç产åæ ̈è


åå·Ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRL7833SPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -263HEXFET السلطة موسفيت
IRL8113STRLPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRL8113STRRPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3709ZSTRLPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3709ZCSTRRP الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3709ZSTRRPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3709ZCSTRLP الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3709ZCSPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3709ZSPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكHEXFET السلطة موسفيت
IRF3707ZCSTRRP الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار
IRF3707ZCSPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار
IRF3707ZSPBF الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار
IRF3707ZSTRRP الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار
IRF3707ZSTRLP الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار
IRF3707ZCSTRLP الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3707ZCSTRL مع تغليف خال من الرصاص على شريط وبكرة يسار
IRF2903ZSTRRP الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF2903ZSPBF يتم شحنها على الشريط والبكرة
IRF2903ZSTRLP الاشعه تحت الحمراء10+إلى -26330V واحد N- قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF2903ZSPBF يتم شحنها على الشريط والبكرة
IRF2903ZSPBF الاشعه تحت الحمراء10+D2-باكموسفيت السيارات
IRF8852TRPBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -825V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة
IRF8852PBF الاشعه تحت الحمراء10+الإجراء التشغيلي الموحد -825V أحادي القناة Hexfet الطاقة MOSFET في حزمة SO-8 خالية من الرصاص مصممة لمحولات DC-DC عالية الكفاءة

åç±»æ£ç'¢