| åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
TC9149
| توشيبا | 11+ | ديب-16 | å ̄¹äºçº¢å¤é¥æ§æ¥æ¶å ̈ |
|
TA7368P
| توشيبا | 2011+ | سوب | é³é¢åçæ3/4大å ̈ |
|
TA2111
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد 24 | 3Vçè°å¹ /è°é¢1è ̄çè°è°å ̈éæçμè· ̄ |
|
STL150N3LLH5
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | N-قناة 30 فولت، 0.0014 O، 35 A - PowerFLATâ ¢ (6x5) STripFETâ ¢ V الطاقة MOSFET |
|
STS7PF30L
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | قناة P 30 فولت - 0.16 أمبير - 7 أمبير - SO-8 STripFETâ© II باور موسفيت |
|
STN2NF10
| توشيبا | 10+ | سوت -223 | N-قناة 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFETâ© II الطاقة MOSFET |
|
STS5N15F4
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | - قناة 150 فولت - 0.045 أوم - 5 أمبير SO-8 شحن بوابة منخفض STripFETâ© السلطة MOSFET |
|
STS4DNF60
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | Næ²é60Vçï1/40.045Ω- 4Aæ¡çSO - 8 STripFETåçMOSFETï1/4ä ̧éç ̈æ²éåçMOSFETçï1/4 |
|
STS4DNF60L
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | Næ²é60Vçï1/40.045Ω- 4Aæ¡çSO - 8 STripFETåçMOSFETï1/4ä ̧éç ̈æ²éåçMOSFETçï1/4 |
|
TPC8024-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPC8021-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPC8020-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPC8018-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPC8017-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPC8014
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPCA8004-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPCA8019-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPCA8A04-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPCA8028-H
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |
|
TPCA8006
| توشيبا | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | تأثير المجال الترانزستور السيليكون N-قناة MOS نوع (فائقة السرعة U-MOSIII) |