åå· | Åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
1N5245B-TR
| فيشاي | 10+ | د.35 | زينر Vz اختبار الحالي ، izt: 8.5mA ؛ تبديد الطاقة ، Pd: 500mW ؛ الحزمة / الحالة: DO-35 ؛ انهيار الجهد ماكس: 15V. متوافق مع العملية المحتوية على الرصاص: نعم ؛ مو |
BAV70WT1G
| فيشاي | 10+ | SOT323 | ثنائي التبديل الصمام الثنائي الكاثود المشترك |
CNY17F-3X006
| فيشاي | 10+ | سوب ديب | Optocoupler ، خرج الترانزستور الضوئي ، لا يوجد قاعدة اتصال |
LL4448-GS08
| فيشاي | 10+ | ل - 34 | ثنائيات التبديل السريع للإشارة الصغيرة |
BZG03C18TR3
| فيشاي | 10+ | DO-214AC | الصمام الثنائي ، زينر بكرة 1500 ؛ الجهد ، VZ: 18V ؛ الحالي ، الاختبار: 25mA ؛ نمط القضية: SMA. نوع الإنهاء: SMD ؛ نمط الحالة ، بديل: DO-214AC ؛ الحالي ، زينر: 25mA |
1N4937-E3 / 54
| فيشاي | 10+ | | مقوم البلاستيك سريع التبديل (å¿«éè1/2¬æ¢å¡è¶æ'æμå ̈) |
BZG03C39TR
| فيشاي | 10+ | DO-214AC | السيليكون Z-الثنائيات |
SI6954ADQ-T1-E3
| فيشاي | 10+ | تسوب-8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة P مزدوجة ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 3.1A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 0.075ohm ؛ RDS (على) |
SFH618A-5
| فيشاي | 10+ | ديب-4 | الترانزستور الضوئي ، 5.3 كيلو فولت TRIOS انخفاض التيار المدخلات Optocoupler |
S07G-GS08
| فيشاي | 10+ | سود 123 | الثنائيات جبل سطح صغير |
BZD27C5V6P-GS08
| فيشاي | 10+ | سود 123 | صمامات زينر الثنائية مع مواصفات التيار المفاجئة |
SI9410BDY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | SOP8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 8.1A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 24mohm ؛ RDS (على) اختبار V |
SI4442DY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 30V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 22A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 4.5mohm ؛ RDS (على) اختبار V |
BAR64V-02V
| فيشاي | 03+ | SOD523 | |
SI3585DV-T1-E3
| فيشاي | 10+ | تسوب-6 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N / P المزدوجة ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 20V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 19A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 0.2ohm ؛ RDS (على) |
BZD27C39P-GS08
| فيشاي | 10+ | سوت-123 | صمامات زينر الثنائية مع مواصفات التيار المفاجئة |
SI4463BDY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة P ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 10A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 0.014ohm ؛ حزمة / حالة: 8-SOIC; متوافق مع العملية المحتوية على الرصاص |
SI4840DY-T1-E3
| فيشاي | 10+ | الإجراء التشغيلي الموحد -8 | موسفيت. قطبية الترانزستور: قناة N ؛ استنزاف مصدر الجهد ، Vds: 40V ؛ تيار الصرف المستمر ، المعرف: 14A ؛ على المقاومة ، RDS (على): 9mohm ؛ RDS (على) اختبار المجلد |
SI6433BDQ-T1-E3
| فيشاي | 10+ | TSSOP8 | 20V P- قناة باورخندق MOSFET |
IRFB20N50KPBF
| فيشاي | 10+ | إلى 220AB | HEXFET السلطة موسفيت |